Questão de Engenharia de TelecomunicaçõesCircuitos
- Banca:
- CESPE / CEBRASPE
- Órgão:
- Telebras
- Ano:
- 2026
- Cargo:
- Especialista em Gestão de Telecomunicações - Engenheiro - Subatividade: Engenheiro de Telecomunicações
- Nível:
- Superior
- Modalidade:
- Certo ou Errado
- Código:
- CFP-146094-102

Descrição da figura — amplificador com transistor bipolar NPN em configuração emissor comum: alimentação V+ no topo; divisor de tensão de base formado por R1 (de V+ à base) e R2 (da base ao terra); entrada Vin acoplada pelo capacitor Cin; RC entre V+ e o coletor; RE entre o emissor e o terra, com CE em paralelo; saída Vout tomada no coletor pelo capacitor Cout, sobre a carga RL ligada ao terra.
Em um amplificador com transistor NPN com ganho de corrente β = 1000 e VBE = 0,7 V, a alimentação é V+ = 12 V, e os componentes valem R1 = 100 kΩ, R2 = 20 kΩ, RC = 2 kΩ e RE = 1 kΩ. Para análise em CA (pequeno sinal), Cin, Cout e CE são suficientemente grandes para se comportarem como curto-circuito na faixa de frequências de interesse, quando aplicável. A partir dessas informações e da figura precedente, que ilustra o amplificador descrito, julgue o item seguinte.
Por se tratar de um amplificador com transistor bipolar em configuração de emissor comum, o ganho de tensão com ou sem carga apresenta inversão de fase entre entrada e saída e pode ser aproximado por Av ≈ −gmRC, em que a transcondutância do transistor é definida por gm = IC/VT, sendo VT a tensão térmica e IC, a corrente de coletor estabelecida no ponto de polarização do transistor.

